氮化硅陶瓷具有高強(qiáng)度、高韌性、耐腐蝕、耐高溫、抗氧化、比重低以及抗熱震等優(yōu)良性能，具有良好的發(fā)展前景。另外，氮化硅陶瓷具有比較高的理論熱導(dǎo)率，該特性使其被認(rèn)為是一種很有潛力的高速電路和大功率器件散熱和封裝材料。高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的制備原料粉體的選擇氮化硅具有兩種晶型:α-Si3N4和β-Si3N4，高溫下α相為非穩(wěn)定態(tài)，易轉(zhuǎn)化為高溫穩(wěn)定的β相。研究發(fā)現(xiàn)隨氮化硅陶瓷中β相含量在40%-100%范圍內(nèi)逐漸增大時(shí)，氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率呈線性增加，故高純?chǔ)孪嗍谦@得高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的關(guān)鍵因素。α-Si3N4和β-Si3N4粉都可作為制備β-Si3N4陶瓷的原料。以α-Si3N4粉末...

前 言陶瓷材料耐溫能力高、力學(xué)性能好、密度低，很早就被認(rèn)為是發(fā)動(dòng)機(jī)高溫結(jié)構(gòu)的理想材料，但由于陶瓷韌性差，一旦損壞會(huì)引起發(fā)動(dòng)機(jī)災(zāi)難性后果，因而限制了其應(yīng)用。為提高陶瓷材料的韌性，材料學(xué)家經(jīng)過不懈努力發(fā)展出陶瓷基復(fù)合材料。陶瓷基復(fù)合材料是指在陶瓷基體中引入增強(qiáng)材料，形成以引入的增強(qiáng)材料為分散相，以陶瓷基體為連續(xù)相的復(fù)合材料，它具有耐高溫、耐磨、抗高溫蠕變、熱導(dǎo)率低、熱膨脹系數(shù)低、耐化學(xué)腐蝕、強(qiáng)度高、硬度大及介電、透波等特點(diǎn)，在航空、航天等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。 陶瓷基復(fù)合材料的分類陶瓷基復(fù)合材料，根據(jù)增強(qiáng)體分成兩大類：...

前  言2005年，Li等人將石墨粉、石墨烯片以及碳納米管混合后制成懸浮液噴涂于鈦箔上，利用碳在鈦中的擴(kuò)散反應(yīng)，采用放電等離子燒結(jié)在1450℃、40MPa壓力下保溫2min原位制備了TiC/C復(fù)合材料，首次將石墨烯應(yīng)用于陶瓷基復(fù)合材料中。經(jīng)過10多年的發(fā)展，目前研究人員已經(jīng)將石墨烯引入到了TiC、Al2O3、SiO2、AlN、Si3N4、SiC、B4C等陶瓷基體中，在力學(xué)性能、電學(xué)性能、可加工性能等方面獲得了顯著的增強(qiáng)改性效果。 01 石墨烯/陶瓷基復(fù)合材料的部分研究（1）石墨烯/氧化物陶瓷基復(fù)合材料李建林等通過電火花燒結(jié)制備了氧化鋁/石墨烯塊體復(fù)合材料，當(dāng)材料中石墨...

陶瓷基板（氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化鋯、氧化鋯增韌氧化鋁即ZTA等）由于其優(yōu)異的熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)和介電性能，從而在半導(dǎo)體芯片封裝、傳感器、通訊電子、手機(jī)等智能終端、儀器儀表、新能源、新光源、汽車高鐵、風(fēng)力發(fā)電、機(jī)器人、航天航空和國(guó)防軍工等高科技領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計(jì)每年通過流延成型工藝制備的各類陶瓷基板的市場(chǎng)就達(dá)到上百億，特別是近幾年隨著我國(guó)新能源汽車、高鐵和5G基站的快速發(fā)展，這些新產(chǎn)業(yè)中所用的功率器件IGBT對(duì)高導(dǎo)熱率高強(qiáng)度的氮化硅和氮化鋁陶瓷基板需求巨大，僅中車每年需求量就達(dá)到500萬片；氧化鋁陶瓷基板不但大量應(yīng)用于電子...