高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述導(dǎo)  讀碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT（物理氣相傳輸）法生長。研究表明，SiC粉體的純度以及其他參數(shù)如粒度和晶型等對PVT法生長SiC單晶晶體質(zhì)量乃至后續(xù)制作的器件質(zhì)量都有一定影響。本文主要針對PVT法生長單晶用高純SiC粉體的合成工藝方法進行了闡述。一、SiC粉體合成方法SiC粉體的合成方法多種多樣，總體來說，大致可以分為三種方法。第一種方法是固相法，其中具有代表性的有碳熱還原法、自...

SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢

超高溫陶瓷(UHTCs)通常指熔點超過3000℃，并在極端環(huán)境中保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)的一類特殊陶瓷材料，通常包括過渡金屬硼化物、碳化物、氮化物及其復(fù)合材料。閱讀鏈接：1、熱壓燒結(jié)設(shè)備2、氣壓燒結(jié)設(shè)備3、無壓燒結(jié)設(shè)備4、反應(yīng)燒結(jié)設(shè)備

碳化硼是一種新型非氧化物陶瓷材料，因其具有熔點高、硬度高、密度低、熱穩(wěn)定性好、抗化學(xué)侵蝕能力強和中子吸收能力強而被應(yīng)用于國防軍工領(lǐng)域，在國民安全的維護中發(fā)揮著重要的作用。碳化硼陶瓷的制備熱壓燒結(jié)熱壓燒結(jié)由于高溫下的壓力作用，使得顆粒發(fā)生重排和產(chǎn)生塑性流動，導(dǎo)致晶界滑移和應(yīng)變誘導(dǎo)孿晶、蠕變及體積擴散。這些機制的共同作用可獲得高致密度高強度的碳化硼陶瓷。熱壓燒結(jié)在惰性氣氛或真空中進行，一般熱壓溫度2200℃~2300℃，壓力20MPa~40MPa，保溫時間0.5h~2h，但碳化硼是共價鍵很強的化合物，無添加的燒結(jié)很難得到高致密度、高性能的產(chǎn)品，為...