高導熱氮化硅陶瓷的制備及其在電子封裝基板中的應用
2020-10-10
氮化硅陶瓷具有高強度、高韌性、耐腐蝕、耐高溫、抗氧化、比重低以及抗熱震等優(yōu)良性能,具有良好的發(fā)展前景。另外,氮化硅陶瓷具有比較高的理論熱導率,該特性使其被認為是一種很有潛力的高速電路和大功率器件散熱和封裝材料。高導熱氮化硅陶瓷的制備原料粉體的選擇氮化硅具有兩種晶型:α-Si3N4和β-Si3N4,高溫下α相為非穩(wěn)定態(tài),易轉化為高溫穩(wěn)定的β相。研究發(fā)現隨氮化硅陶瓷中β相含量在40%-100%范圍內逐漸增大時,氮化硅陶瓷熱導率呈線性增加,故高純β相是獲得高導熱氮化硅陶瓷的關鍵因素。α-Si3N4和β-Si3N4粉都可作為制備β-Si3N4陶瓷的原料。以α-Si3N4粉末...