碳化硅化學(xué)氣相沉積爐工藝:賦能未來科技的“超能涂層”
2025-03-04
在半導(dǎo)體、新能源、航空航天等尖端領(lǐng)域,材料的性能往往決定著技術(shù)的天花板。當(dāng)傳統(tǒng)硅基材料逐漸逼近物理極限,一種名為碳化硅(SiC)的“神奇晶體”正悄然掀起一場材料革命——它耐高溫、抗輻射、導(dǎo)電性能優(yōu)異,被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體之王”。而要將這種材料的潛力轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí),化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)則是其中最關(guān)鍵的一環(huán)。今天,讓我們揭開碳化硅CVD爐工藝的神秘面紗,看它如何為現(xiàn)代科技“鍍”上超能鎧甲!一、碳化硅CVD工藝:納米級(jí)的“分子雕刻”如果說傳統(tǒng)材料加工是“大刀闊斧”的塑造,那么CVD工藝則堪稱納米級(jí)的“分子雕刻”。在高溫反應(yīng)爐中,氣態(tài)的前驅(qū)體分子(如硅烷...